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                :采用半极化Micro LED,全彩化量子点转换技术获突破_大发云彩神app光电

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                采用半◆極化Micro LED,全彩化量子點轉換技術獲突破

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                圖片來源: Chen et al. 2020


                  Micro LED被視為取代TFT-LCD及OLED display的次世代顯示器技術。建立在LED高效能◤的基礎上,理想的Micro LED顯示器具有高像素、高對比、自發光、低能耗及壽命長等各種優勢,備受看好。

                  然而,當前的Micro LED仍面臨許多困難需要克服,其◣中最困擾研究人員與制造商的便是巨量轉移制程(Mass transfer process),如何將紅、藍、綠三種顏色的LED芯片快速且精確地接合至面板的驅動電路上,以及克服芯片材料特性不同的挑戰,特別是紅光Micro-LED還有易碎等問題,因此巨量轉移技術至今仍沒有能達到量產的解決方案被提出。

                  臺灣交通大學的郭浩中教授等人,與美國新創公司Saphlux、耶魯大學、廈門大學的研究人員合作,采用半極化(Semipolar)的Micro LED結合量子點熒光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技術,制作出高色穩定的全彩Micro LED陣列,相關研究成果已被Photonics Research期刊接受,並即將發表。


                  研究團隊主持人郭浩中表示,為了減少巨量轉移的次數,該團隊長期專註在量子點熒光粉色轉換技術★的應用,只需要一種顏色的LED芯片(藍光或近紫外光)搭配不同顏色的量子點熒光粉,即可實現全∮彩的功能,且量子點熒光粉的演色性相當突出。

                  郭浩中也提到,除了巨量轉移制程的挑戰,LED芯片本身也面〓臨不少問題。譬如藍綠光LED芯片會隨著操作電流改變,產生發光顏色變化的現象,意味著顯示器為了配合環境光源改變亮度時,就有可能產生顏色變化,不利於顯示器的使用,因此★必須解決LED芯片色偏移的問題。

                  該團隊采用半極化磊晶技術制作LED芯片,藉由半極化材料的特性,大幅減少LED光源本身的發光波長偏移(Wavelength-shift)現象,進而克服色偏移的問題;在這個研究中的第二個突破就是采用量子點熒光粉光阻技術,該技術透過特殊的方法,將量子點熒光粉與光阻液混合,搭配傳統的微影制程,達到大面積制作彩色像素需求,取代分別轉移紅、藍、綠的LED芯片的方法↘,大幅∏降低轉移制程的困難度。

                  最後,結合上述兩種技術,研究團隊成功實現了高色穩定的全彩Micro LED陣列,同時具有大面積制造▲的可能性,為Micro LED顯示器技術的發展註入一股新血。


                來源:中國照明網


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